文档名：制备条件对ScYSZ薄膜形貌的影响及其生长模型
摘要：采用溶液旋涂法在石英基体上制备了氧化钇氧化钪共稳定氧化锆(ScYSZ)阻挡层薄膜,对前驱体的热分解过程进行了分析,并研究了基体温度和热处理温度对薄膜形貌的影响,在此基础上揭示了前驱体溶液结晶形核生长的过程.结果表明:前驱体在580℃完全分解.不同温度基体上薄膜的表面形貌表明,降低基体温度有利于晶体形核生长.薄膜经不同温度热处理后的表面形貌显示,热处理促进晶体生长与再结晶.在氧化钆掺杂氧化铈(GDC)电解质基体上制备了致密的ScYSZ薄膜,证实了晶体形核生长的规律.
作者：李韫琪 李成新 李智 刘涛 Author：LIYunqi LIChengxin LIZhi LIUTao
作者单位：西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室,陕西西安710049西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室,陕西西安710049;山东能源集团有限公司大型煤气化及煤基新材料国家工程研究中心,山东济南250000山东能源集团有限公司大型煤气化及煤基新材料国家工程研究中心,山东济南250000
刊名：电源技术 ISTICPKU
Journal：ChineseJournalofPowerSources
年，卷(期)：2023, 47(5)
分类号：TM911
关键词：阻挡层 薄膜 形核 溶液旋涂 固体氧化物燃料电池
机标分类号：S758.5O643.36TS201.3
在线出版日期：2023年6月2日
基金项目：制备条件对ScYSZ薄膜形貌的影响及其生长模型[
期刊论文] 电源技术--2023, 47(5)李韫琪 李成新 李智 刘涛采用溶液旋涂法在石英基体上制备了氧化钇氧化钪共稳定氧化锆(ScYSZ)阻挡层薄膜,对前驱体的热分解过程进行了分析,并研究了基体温度和热处理温度对薄膜形貌的影响,在此基础上揭示了前驱体溶液结晶形核生长的过程.结果表...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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