文档名：新型整平剂对电镀铜填通孔的影响及机制探究
摘要：针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21.通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚乙烯亚胺烷基盐(PN)与新型整平剂SC-21在电镀铜填充通孔过程中的作用差异.结果表明:以一定浓度SC-21为整平剂时可出现"蝴蝶填充"现象,进而实现对深径比2∶1通孔的无空洞填充;与JGB和PN相比,此浓度下的SC-21在较宽的电流密度范围内具有动态吸附行为,可产生"负微分电阻效应",使得通孔内呈现与"蝴蝶填充"形状相匹配的沉铜速率梯度,最终实现对通孔的无空洞填充.
Abstract：Tosolvethebottlenecksofthespecializedchemicalsforelectronicelectroplatingindomes-tic,anewlevelernamedSC-21wassynthesized.Itwasconsistedofanitrogen-containingheterocycleandanoxygen-containingcarbonchain.Inthispaper,thedifferentperformancesbetweenthecommonlevelerofJanusGreenB(JGB),polyethyleneiminealkylsalt(PN)andthenewlevelerSC-21werestudiedbycopperplatinginharingcell,cyclicvoltammetry(CV),chronopotentiometry(CP&CP-CR),andelectrochemicalimpedancespectroscopy(EIS).Theresultsindicatethatthecopperdeposi-tionmodeof"butterflyfilling"canbeachievedusingacertainconcentrationofSC-21astheleveler.Fi-nally,thethroughholeswiththedepthtoratioof2∶1canbecompletelyfilledwithoutvoid.ComparedwithJGBandPN,SC-21atthisconcentrationshowedadynamicadsorptionbehaviorinawiderangeofcurrentdensity,whichresultedintheappearanceof"negativedifferentialresistanceeffect"(NDRef-fect).TheNDReffectcanleadtothevelocitygradientsofcopperdepositioninthethroughhole,whichfinallyresultedinthevoid-freefillingofthroughholes.
作者：许昕莹 肖树城 张路路 丁胜涛 肖宁Author：XuXinying XiaoShucheng ZhangLulu DingShengtao XiaoNing
作者单位：北京化工大学化学工程学院,北京100029
刊名：电镀与精饰 ISTICPKU
Journal：Plating&Finishing
年，卷(期)：2024, 46(5)
分类号：TQ153.1
关键词：通孔填充 整平剂 蝴蝶技术 变电流计时电位法 负微分电阻效应
Keywords：throughholefilling leveler butterflytechnology chronopotentiometrywithcurrentramp negativedifferentialresistanceeffect
机标分类号：O646TG174.444TP391.41
在线出版日期：2024年5月16日
基金项目：国家自然科学基金新型整平剂对电镀铜填通孔的影响及机制探究[
期刊论文] 电镀与精饰--2024, 46(5)许昕莹 肖树城 张路路 丁胜涛 肖宁针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21.通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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