文档名：氧化铂、钛过渡层对铂薄膜温度传感器性能的影响
摘要：铂(Pt)薄膜电阻具有体积小、结构简单、电阻温度系数(TCR)高和响应速度快的优点,结合MEMS技术可以实现发动机叶片温度的检测,但纯Pt与衬底之间的结合力较差,易导致薄膜失效.采用磁控溅射分别制备了氧化铂(PtxOy)和钛(Ti)过渡层的Pt薄膜电阻,分析了不同过渡层在不同温度(800,900,1000℃)下退火的微观形貌和电学性能,并分别测试了2种Pt电阻在900℃和1000℃下的稳定性.结果表明:1000℃退火的Pt/PtxOy薄膜电阻的TCR值最大,达到了3434×10-6/℃,Pt/PtxOy薄膜电阻的电学性能优于Pt/Ti薄膜电阻,综合分析,900℃退火的Pt/PtxOy薄膜电阻性能最优.
作者：吕振杰 庞雅文 杨伸勇 高向向 张丛春 Author：LüZhenjie PANGYawen YANGShenyong GAOXiangxiang ZHANGCongchun
作者单位：上海交通大学微纳制造科学与技术国家重点实验室,上海200240;上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系,上海200240上海交通大学微纳制造科学与技术国家重点实验室,上海200240
刊名：传感器与微系统 ISTICPKU
Journal：TransducerandMicrosystemTechnologies
年，卷(期)：2023, 42(10)
分类号：TP212
关键词：磁控溅射 铂薄膜电阻 过渡层 退火温度 温度传感器
Keywords：magnetronsputtering platinumthinfilmresistor transitionlayer annealingtemperature temperaturesensor
机标分类号：TP212TB43TN40
在线出版日期：2023年11月6日
基金项目：国家重点研发计划氧化铂、钛过渡层对铂薄膜温度传感器性能的影响[
期刊论文] 传感器与微系统--2023, 42(10)吕振杰 庞雅文 杨伸勇 高向向 张丛春铂(Pt)薄膜电阻具有体积小、结构简单、电阻温度系数(TCR)高和响应速度快的优点,结合MEMS技术可以实现发动机叶片温度的检测,但纯Pt与衬底之间的结合力较差,易导致薄膜失效.采用磁控溅射分别制备了氧化铂(PtxOy)和钛(Ti)过...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
氧化铂、钛过渡层对铂薄膜温度传感器性能的影响 Influence of platinum oxide and titanium transition layer on performance of platinum film temperature sensor
氧化铂、钛过渡层对铂薄膜温度传感器性能的影响.pdf
- 文件大小:
- 1.95 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
