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铸造多晶硅中的界工程组分过冷诱生外延枝晶晶界

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admin 发表于 2024-12-12 00:04 | 查看全部 阅读模式

文档名:铸造多晶硅中的界工程组分过冷诱生外延枝晶晶界
组分过冷现象使铸造硅固液界面发生枝晶生长,外延枝晶下表面会保留在晶体中,形成外延枝晶晶界,外延枝晶晶界可以有效抑制位错生长增殖,降低缺陷浓度,经过优化的铸造多晶硅实例有效提高了电池转换效率。
作者:原帅
作者单位:浙江大学硅材料国家重点实验室;江西赛维LDK高科技有限公司
母体文献:第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称:第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会  
会议时间:2017年11月16日
会议地点:徐州
主办单位:中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种:chi
分类号:TM9TK5
关键词:多晶硅  铸造工艺  固液界面  枝晶生长  电池转换效率
在线出版日期:2018年10月31日
基金项目:
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