文档名：重离子辐射对65nm器件栅氧化层可靠性影响分析
目的：研究重离子单粒子辐照(SEE,SingleEventEffect)效应对超薄栅介质(1nm厚度)的斜坡击穿电压(TZDB,TimeZeroDielectricBreakdown)的影响情况.方法：采用209Bi(离子能量为1043.7MeV)对65nmCMOS电容进行(1～2)×107ion/cm2总注量的重离子辐射试验,以及辐射过程中的TZDB试验.结果：经过209Bi(离子能量为1043.7MeV)进行(1～2)×107ion/cm2总注量的辐射后,其泄露电流略微增大,G-V曲线稍有畸变;进行累积模式和反型模式的斜坡击穿测试,发现栅介质层的斜坡击穿电压减小近5％.结论：空间重离子、质子或中子等大质量粒子轰击,强烈影响着微纳工艺超薄栅介质的长期可靠性,限制着先进工艺小尺寸器件在空间或者核辐射环境中的长期应用.
作者：何玉娟章晓文雷志锋张战刚
作者单位：工业和信息化部电子第五研究所,广州510610
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TL9
关键词：场效应晶体管 金属氧化物 超薄栅介质 重离子辐射 斜坡击穿电压 长期可靠性
在线出版日期：2021年12月15日
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