文档名：锗基石墨烯研制进展
大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集成电路,金属基底石墨烯难以与微电子工艺兼容,因此迫切需要将石墨烯材料与半导体衬底集成.通过研究发现，在半导体锗衬底上能够通过CVD方法生长出大面积连续石墨烯薄膜，石墨烯薄膜生长行为与锗衬底晶向具有紧密相关性。锗（100）和锗（111）两种衬底上易于获得随机取向的石墨烯晶畴，从而相互合并形成多晶石墨烯。锗（110）衬底台阶处晶格匹配效应，能够导致石墨烯晶畴取向排列，从而能够无缝拼接，形成单晶石墨烯晶圆。目前，已经成功4英寸单晶石墨烯晶圆演示，有望真正将石墨烯材料应用于集成电路制造。
作者：狄增峰张苗谢晓明王曦
作者单位：信息功能材料国家重点实验室,上海微系统与信息技术研究所,中国科学院
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：锗基石墨烯 化学气相沉积 晶格匹配 电学性能
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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