栅宽对AlGaNGaNHFET极化静电场散射效应影响

文档名：栅宽对AlGaNGaNHFET极化静电场散射效应影响
对于不同栅宽(器件宽度)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET),根据测试的电流电压曲线和电容电压曲线,计算得到了栅沟道载流子迁移率.在相同的偏压下,栅下沟道载流子迁移率随栅宽的增加而降低.分析表明,该现象起源于与极化相关的静电场散射效应——极化库仑场(PCF)散射.更宽栅宽的器件具有更大的PCF散射势和更强的PCF散射强度.变化栅宽将成为提高器件特性的新视角.
作者：杨铭 张雨 季启政 冯文武 高志良 张宇 冯娜 何积浩
作者单位：北京东方计量测试研究所北京100094中国人民解放军92493部队60分队125000
母体文献：ESD-S第七届静电防护与标准化国际研讨会论文集
会议名称：ESD-S第七届静电防护与标准化国际研讨会  
会议时间：2018年11月7日
会议地点：北京
主办单位：中国标准化研究院,中国空间技术研究院
语种：chi
分类号：TN3TN9
关键词：异质结场效应晶体管  器件宽度  极化静电场  散射效应  载流子迁移率
在线出版日期：2021年12月15日
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