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原位激光干涉定位生长高质量外延半导体量子点

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admin 发表于 2024-12-11 22:28 | 查看全部 阅读模式

文档名:原位激光干涉定位生长高质量外延半导体量子点
通过将激光干涉直写纳米图形化(DLINP)技术嫁接到分子束外延上,InAs二维浸润层生长过程中,通过DLINP光致电激发诱导表面InAs从GaAs衬底选择性脱附形成量子点,定位生长了缺陷密度不高于自组织生长的InAs量子点。初步实现了1D、2D定位生长。
作者:彭长四石震武霍大云邓长威陈晨杨琳韵
作者单位:苏州大学光电信息科学与工程学院
母体文献:第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称:第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间:2017年8月15日
会议地点:太原
主办单位:中国有色金属学会,中国电子学会
语种:chi
分类号:TN3TB3
关键词:外延半导体量子点  激光干涉生长  光刻图形化  自组织结构
在线出版日期:2019年8月12日
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