以超薄Co2MnSi为插层的全MnGa基垂直磁隧道结

文档名：以超薄Co2MnSi为插层的全MnGa基垂直磁隧道结
基于自旋转移力矩效应的磁随机存储器件(STT-MRAM）兼备了存储密度高、功耗低、数据处理速度快、热稳定性强和非易失性等诸多优势,是相关领域的研究热点.然而,这些优点对STT-MRAM的核心结构---具有垂直易磁化特性的隧道结(p-MTJ）提出了很高要求.随着研究的不断深入,人们发现广泛研究的界面诱导垂直易磁化材料体系存在明显的缺陷.对以MnGa为铁磁电极的磁隧道结进行了深入研究，利用分子束外延（MBE）技术首先在GaAs(001)衬底上成功实现了全MnGa诱导p-MTJ的制备。为缓冲MnGa电极与MgO势垒层之间的晶格失配，我们在二者之间加入了超薄的半金属Heusler合金Co2MnSi插层，组成了以MnGa/Co2MnSi/MgO/Co2MnSi/MnGa为核心的器件结构，其中插层材料的磁化状态可以通过MnGa与Co2MnSi间强大的反铁磁交换耦合作用进行有效调控。
作者：毛思玮鲁军赵旭鹏赵建华
作者单位：中国科学院半导体研究所,北京100083
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TM2TB3
关键词：锰镓合金  垂直磁隧道结  分子束外延  插层材料
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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