文档名：一种新颖的硅基GeSn悬空微结构
新型IV族半导体材料GeSn合金由于其带隙可连续变化,并可制作为与互补金属氧化物半导体CMOS工艺相匹配的硅基激光器,对其的研究在近几年来日趋火热.GeSn合金能带结构在Sn组分大于～6.5％-11％能够转变为直接带隙.然而,GeSn材料的晶格常数大于Ge材料,因此在Ge衬底上生长的GeSn材料一般都存在较高的压应变,压应变的存在会阻碍其能带的转变,难以形成直接带隙.
作者：韩奕 李耀耀 宋禹忻 张振普 刘娟娟 朱忠赟珅 王庶民
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室,中国上海,200050;中国科学院大学,中国北京,100190中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室,中国上海,200050中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室,中国上海,200050;上海科技大学物质学院,中国上海201210中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室,中国上海,200050;上海科技大学物质学院,中国上海201210;瑞典查尔姆斯理工大学,瑞典哥德堡41296
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：锗锡合金半导体材料 悬空微结构 制备工艺 晶格常数
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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