文档名：一种抗辐射加固16位数模转换器的设计技术
研究高精度大规模高低压兼容数字模拟转换器中(DAC:Digitaltoanalogconverter)抗辐射加固的设计技术.在一款大规模、数模混合、集成高密度数字电路、兼容高低压工作的DAC中,重点对总剂量辐射产生的阈值电压漂移、漏源漏电、场区漏电三种效应,以及单粒子闭锁效应展开研究.通过在线路和版图设计时,采取针对性的抗辐射加固设计措施,使得在不降低DAC电性能的情况下,有效拟制阈值电压漂移、漏源漏电、场区漏电、单粒子闭锁等有害效应的产生.通过电参数实测及辐射试验验证,该DAC不仅具有低功耗、高精度的电性能,稳态总剂量能够达到1×105rad(Si),单粒子锁定LET阈值能够达到75MeV.cm2/mg.
作者：朱冬梅付东兵钟英峻徐佳丽
作者单位：中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN4TL8
关键词：数模转换器 抗辐射加固 线路设计 版图设计
在线出版日期：2021年12月15日
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