文档名：一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型
忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻,被公认为第四种基本的电路元件.分数阶忆阻器模型是整数阶忆阻器模型的推广,科研人员已经证实了分数阶忆阻器模型的存在,并分析了分数阶忆阻器模型的响应特性.在分析了现有整数阶和分数阶忆阻器模型的基础上提出了一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型,并对忆阻器在阶跃信号、正弦和非正弦周期信号激励下的响应特性进行了实验分析,结果表明该模型能够较好地模拟分数阶忆阻器的特性,同时分数阶阶次和控制参数对忆阻器特性的影响规律也得到了分析和总结,对忆阻器在电学领域的应用具有一定的参考价值.
作者：甘朝晖张士英吴宇鑫
作者单位：武汉科技大学信息科学与工程学院,湖北武汉430081
母体文献：2018年中国仿真大会论文集
会议名称：2018年中国仿真大会
会议时间：2018年10月18日
会议地点：珠海
主办单位：中国仿真学会
语种：chi
分类号：
关键词：分数阶忆阻器 非线性漂移函数 响应特性
在线出版日期：2022年5月27日
基金项目：
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