文档名：一款高稳定性带隙基准源的设计与分析
本文设计了一种基于传统结构的带隙基准源电路.该电路采用自偏置电路与两级运放电路形式,输出端采用MOS管控制开关的电阻分压形式输出需要的基准电压值.对于产生一个700mV左右的电压基准,温度扫描从-55℃～125℃得到的温度漂移指标为37.58ppm/℃,电源抑制比在1kHz时达到了-87dB,稳定性很好.该电路在65nm工艺下进行设计实现,版图占用的面积约为0.024mm2.
作者：孙海艳刘尧孙永节
作者单位：湖南省长沙市国防科学技术大学计算机学院410073
母体文献：第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛论文集
会议名称：第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛
会议时间：2016年8月10日
会议地点：西安
主办单位：中国计算机学会
语种：chi
分类号：TN7TP3
关键词：带隙基准源 偏置电路 两级运放电路 设计理念 温度漂移 电源抑制比
在线出版日期：2017年10月24日
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