文档名：氧等离子体预处理钝化GeMOS界面
在原子层沉积系统中采用远程氧等离子体原位预处理Ge表面生成一层高GeO2含量的GeOx钝化层,随后沉积0.5nm氧化铝和3nm氧化铪高k介质最后制备成MOS电容结构.氧等离子体预处理时间越长,GeOx钝化层中的GeO2含量越高,有利于界面态的降低;达到1分钟后,界面质量达到最佳水平.
作者：洪海洋李成陈松岩黄巍徐剑芳
作者单位：厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门361005
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN3O65
关键词：锗表面 原子层沉积系统 远程氧等离子体原位预处理 界面质量
在线出版日期：2020年6月22日
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