文档名：先进工艺ESD失效分析方法
随着集成电路技术的高速发展,智能、信息技术的突破,芯片在各个领域的应用更加广泛,同时也提出了更高的质量要求,元器件失效分析在提高集成电路可靠性方面也发挥着越来越重要的作用.本文以40nm,LQFP128封装芯片为例,详细阐述ESD测试过程和失效的判定及失效分析过程,包括无损分析和有损分析、电性失效分析和物理失效分析.综合运用EMMI、SEM、FIB等手段完成对失效位置的定位和剖面切割,对比失效现象完成失效模式的分析.研究表明在ESD测试过程中产生的失效主要为ESD保护器件击穿产生大电流导致MOS管熔融或介质击穿.
作者：赵军伟李建强乔彦彬刘波单书珊
作者单位：北京智芯微电子科技有限公司,国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室,北京100192;北京智芯微电子科技有限公司,北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心,北京100192
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：V2TQ6
关键词：集成电路 测试过程 静电防护 失效分析
在线出版日期：2021年12月15日
基金项目：
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