提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证

文档名：提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证
本文阐述了提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证，结果表明：过量碳氧杂质降低CZ-Si工艺中的晶体品位，碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中，气体导流筒与Si熔体间隙对C杂质输运影响取决于扩散距离。
作者：刘鑫原田博文宫村佳儿韩学峰中野智西泽伸一柿本浩一
作者单位：九州大学应用力学研究所
母体文献：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会  
会议时间：2018年11月1日
会议地点：南昌
主办单位：中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种：chi
分类号：TP3TQ1
关键词：单晶硅  提拉法  碳杂质输运  控制策略  数值模拟
在线出版日期：2019年11月29日
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