文档名：碳化硅超声辅助抛光过程的分子动力学仿真
碳化硅材料拥有禁带宽度大、热导率高、击穿电场强度高、介电常数低和抗辐射能力强等特性,广泛应用于MEMS、高能半导体器件等领域.碳化硅硬度高,加工困难,目前唯一能实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)技术是加工碳化硅的主要手段,而对抛光盘施加振动也是常见的促进抛光的手段.本文采用分子动力学软件LAMMPS探究金刚石磨粒对碳化硅工件超声振动辅助CMP刻划过程和规律。
作者：翟文杰杨德重
作者单位：哈尔滨工业大学机电工程学院哈尔滨150001
母体文献：第十九届中国磨粒技术学术会议论文集
会议名称：第十九届中国磨粒技术学术会议
会议时间：2017年8月1日
会议地点：哈尔滨
主办单位：中国机械工程学会
语种：chi
分类号：R6TG1
关键词：碳化硅 化学机械抛光 超声振动 金刚石磨粒 分子动力学
在线出版日期：2021年12月15日
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