拓扑绝缘体Bi2Se3和Bi1xSbx2Te3高质量薄膜的分子束外延生长及其电输运性质研究

文档名：拓扑绝缘体Bi2Se3和Bi1xSbx2Te3高质量薄膜的分子束外延生长及其电输运性质研究
拓扑绝缘体以其独特的能带结构与新奇的物理性质,自问世以来就受到了广泛关注.第二代三维拓扑绝缘体Bi2Se3家族是其中的重要代表.利用分子束外延技术,在具备良好绝缘性能的SrTiO3衬底上通过范德瓦尔斯外延生长了高质量的Bi2Se3单晶薄膜,薄膜的厚度为15～20nm,并利用XRD、AFM等设备对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征.结果显示薄膜的晶体结构为(00l）(其中l=3n,n为整数)面的取向,表面形貌均匀,粗糙度很小.电输运测试表明，薄膜的载流子浓度在2-3×1013cm-2左右，迁移率在500-900cm2V-1s-1之间，同时样品的磁阻存在明显的弱反局域特征,并可利用门电压调控其化学势。
作者：朱珊娜 史刚 赵鹏 李永庆 吴克辉 陈岚
作者单位：中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100190中国科学院物理研究所,纳米物理与器件重点实验室,北京,100190
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TM9
关键词：拓扑绝缘体薄膜  分子束外延生长  电输运性质  能带结构
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-11 16:42 上传 拓扑绝缘体Bi2Se3和Bi1xSbx2Te3高质量薄膜的分子束外延生长及其电输运性质研究.pdf

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