文档名：双栅结构AlGaNGaNHEMT的仿真研究
本文提出一种具备新型双栅结构的AlGaN/GaNHEMT器件,利用MIS栅结构与肖特基栅结构相结合,两种栅结构分别采用不同功函数的金属栅电极,该结构能够提高器件的导通特性,降低泄漏电流并提高击穿电压,利用Sentaurus软件对双栅结构的AlGaN/GaNHEMT器件进行仿真,分析新型的双栅结构对比传统栅结构的优势,并从电势及电场分布的角度探讨器件性能提升的原理.
作者：石黎梦刘美华董宁钢林信南
作者单位：北京大学深圳研究生院,深圳518055
母体文献：全国电技术节能第十四届学术年会论文集
会议名称：全国电技术节能第十四届学术年会
会议时间：2018年9月1日
会议地点：深圳
主办单位：中国电工技术学会
语种：chi
分类号：TN3TN7
关键词：高电子迁移率晶体管 双栅结构 氮化铝镓 氮化镓 电势特征 电场分布
在线出版日期：2022年3月9日
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