溶胶凝胶法制备具有highk绝缘层的氧化物薄膜晶体管

文档名：溶胶凝胶法制备具有highk绝缘层的氧化物薄膜晶体管
本文采用溶胶凝胶法成功制备了HfO2-ZITOTFT和Al2O3-ZITOTFT.同时对HfO2和Al2O3薄膜的基本特性包括表面性能,结晶性能,介电常数进行了对比.HfO2相较于Al2O3薄膜而言,更容易结晶,表面粗糙度大但相对介电常数大.这导致了以其为绝缘层的TFT器件关态电流较大.但是由于Al2O3薄膜的相对介电常数小导致开态电流稍低.同时,本文也对两种绝缘层进行了详细研究,更有利于TFT器件的工艺研究和开发.
作者：李喜峰高娅娜朱乐永董盼盼许云龙岳致富张建华
作者单位：上海大学,上海市闸北区延长路149号200072
母体文献：第九届华东三省一市真空学术交流会论文集
会议名称：第九届华东三省一市真空学术交流会  
会议时间：2015年5月29日
会议地点：杭州
主办单位：安徽省真空学会,浙江省真空学会,江苏省真空学会,上海真空学会
语种：chi
分类号：TV6
关键词：薄膜晶体管  溶胶凝胶法  绝缘层  氧化铝  氧化铪
在线出版日期：2016年5月31日
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