热光可调硅基RBRB微环中类EIT效应和Fano效应

文档名：热光可调硅基RBRB微环中类EIT效应和Fano效应
在过去的几十年中,硅基耦合谐振腔中的类EIT效应逐渐成为研究热点,在光存储,慢光,光开关和非线性光学等方向中有许多应用,而实现EIT效应的结构有很多.而Fano效应因为具有陡峭而尖锐的的非对称响应谱和场增强效应,在纳米光子器件中具有重要应用,如调制器、光开关、传感器等.最近,在单个硅基谐振器中也观察到类EIT效应,它是利用腔内同时存在两个回音壁模式的相干耦合作用.但是当谐振腔参数改变时,两个模式都会同时改变,很难独立调节.而在RBR-MZI结构中,两个环腔中的模式可以独立调节,但是额外的MZI使得整个结构更大.
作者：汪振政黄庆忠卢棋夏金松
作者单位：华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)武汉430074
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN8TN2
关键词：纳米光子器件  硅基耦合谐振腔  电磁诱导透明)效应  Fano效应
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
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2024-12-11 12:58 上传 热光可调硅基RBRB微环中类EIT效应和Fano效应.pdf

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