文档名：氢气对GaN基HEMT器件性能的影响
目前,密闭封装的GaAs微波器件中存在着与氢效应(也称"氢中毒")相关的可靠性问题,这些可靠性问题会通过影响器件势垒层的有效失主浓度、改变肖特基内建势、减少沟道载流子浓度,从而使得微波器件的直流与微波性能发生退化.本文针对国产GaN基HEMT器件开展了氢气试验，研究了试验前后氢气对GaN基HEMT器件直流电参数的影响。氢气会对GaN基HEMT器件的栅漏二极管特性和栅延迟特性产生影响，主要原因是由于氢气分解成氢原子扩散至器件表面和势垒层中，钝化了表面态和部分势垒层缺陷。且氢气并不会如其他文献中所说，改变势垒层高度。在后续工作中，还需要进一步研究不同氢气浓度对器件性能、材料特性的影响。
作者：廖雪阳曾畅喻业宏李汝冠王远声
作者单位：工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广州,510610
母体文献：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议论文集
会议名称：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
会议时间：2015年10月30日
会议地点：苏州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 氢气 直流电参数
在线出版日期：2019年1月18日
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