文档名：潜在的更稳定高效电池——同质异质结硅太阳电池
利用AFORS-HET软件比较了WFTCO、Dit、Ntr和Na对H-H和HIT电池性能的影响；相对于HIT，H-H电池对WFTCO更加不敏感是因为：在高的Dit下，界面复合的变化量更小,在相当低的Dit下，a-Si:H区域复合的变化量更小本质上是因为同质结电场的存在使得更少的电子能到达异质结界面和a-Si:H区域，因而H-H电池的n受WFTCO的影响更小；相较于HIT，H-H电池对p-a-Si:H层Ntr和Na的忍耐性更强。因为当Ntr增加或者Na降低时，同质结的电场可以部分补偿减弱的内建电场，使H-H电池的n受Ntr和Na的影响更小；在WFTCO、Dit、Ntr和Na的整个变化范围内，H-H电池都拥有着较优异的性能；基于对以上参数（极大地影响HIT性能）有着更好的容忍度，相信H-H电池为实现更稳定高效太阳电池提供了可能性。
作者：谭杪沈文忠
作者单位：上海交通大学太阳能研究所
母体文献：第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称：第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会
会议时间：2017年11月16日
会议地点：徐州
主办单位：中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种：chi
分类号：TM9
关键词：硅太阳电池 界面复合 电子运动 性能表征
在线出版日期：2018年10月31日
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