文档名：利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜
采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜.制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜.
作者：张璐王一森李成陈松岩黄巍汪建元
作者单位：厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门361005
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN3TP2
关键词：柔性薄膜晶体管 锗锡薄膜 磁控溅射 脉冲激光退火 结晶性 表面形貌
在线出版日期：2020年6月22日
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