利用Al2O3界面层改善全无机的硅量子点近红外发光二极管的性能

文档名：利用Al2O3界面层改善全无机的硅量子点近红外发光二极管的性能
对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一.1,2,3选择合适的界面层可以有效地调控载流子的注入以使电子和空穴的注入尽量平衡,也可以降低由于载流子浓度过高而引起的发光淬灭,还能有效降低漏电流.利用原子层沉积(ALD)的方法在传输空穴的Ni0层与发近红外光的硅量子点(SiQDs)层之间插入不同厚度的A1203界面层。研究发现，当插入的A1203界面层厚度为5.7nm时，基于玻璃衬底的器件的光功率密度和外量子效率得到了明显的提升，分别达到了14μW/cm2和～0.1％（如图1），在把玻璃衬底换成柔性衬底后，有A1203界面层的SiQDs近红外发光二极管可以在被弯折情况下工作。
作者：赵双易刘翔凯顾伟谭华黄琨倪朕伊梁骁勇颜聿聪余学功李东升金一政马向阳皮孝东杨德仁
作者单位：浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州,310027
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN3O47
关键词：量子点发光二极管  原子层沉积  玻璃衬底  光功率密度  外量子效率
在线出版日期：2020年6月22日
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2024-12-11 07:54 上传 利用Al2O3界面层改善全无机的硅量子点近红外发光二极管的性能.pdf

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