蓝宝石基片退火预处理对氧化镓薄膜结晶质量及其紫外光敏特性的影响

文档名：蓝宝石基片退火预处理对氧化镓薄膜结晶质量及其紫外光敏特性的影响
近年来,超宽禁带半导体-氧化镓作为日盲紫外探测的候选材料,正受到学术界越来越多的关注.β-氧化镓的禁带宽度约为4.9eV,对应的响应波长约为250nm,因此天然地适用于日盲紫外探测,而可以避免类似AlGaN、ZnMgO等材料体系遇到的合金化难题.尝试对对C面蓝宝石基片进行长时间的真空退火预处理，以促使基片表面重构，减少缺陷，以期改善后续氧化稼分子束外延(MBE)薄膜的质量以及日盲紫外探测器的性能。
作者：钱凌轩刘兴钊
作者单位：微电子与固体电子学院,电子科技大学,成都,610054;电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都,610054
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：O48TN3
关键词：半导体薄膜  氧化镓  分子束外延生长  蓝宝石基片  退火预处理  结晶质量  紫外光敏特性
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
相似文献
相关博文

2024-12-11 07:34 上传 蓝宝石基片退火预处理对氧化镓薄膜结晶质量及其紫外光敏特性的影响.pdf

文件大小:

610.17 KB

下载次数:

60

高速下载