文档名：溅射法制备纯铜型陶瓷覆铜板的研究
本文提出在氧化铝陶瓷基板上,采用两步溅射铜膜的方法来制备陶瓷覆铜板,即先在低氩气压下溅射形成Cu氧化物过渡层,再利用高气压下低能量的铜粒子沉积形成均匀的铜层.使用FESEM对其进行微观表征并进行拉脱强度测试,最后利用传统刻蚀方式在覆铜板上进行电路制作.研究结果表明,采用该工艺制作的陶瓷覆铜板,铜层结构致密、均匀,金属与陶瓷的拉脱强度达到6.2MPa以上,覆铜板能够用常规腐蚀工艺进行光刻腐蚀,工艺兼容性好.具有生产成本低廉,操作简单,制备过程绿色无污染等优点.
作者：陈波 王德苗 金浩
作者单位：浙江大学信息与电子工程学院,杭州310027浙江大学信息与电子工程学院,杭州310027;浙江大学昆山创新中心先进电子专用设备研发中心,江苏昆山251300;苏州求是真空电子有限公司江苏昆山215300
母体文献：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会论文集
会议名称：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会
会议时间：2017年10月1日
会议地点：上海
主办单位：上海市真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会
语种：chi
分类号：O48TN3
关键词：集成电路 陶瓷覆铜板 磁控溅射 微观形貌 拉脱强度 光刻腐蚀
在线出版日期：2021年3月22日
基金项目：
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