文档名：静电放电效应对TFET器件的影响机理研究综述
由于通过引入带带隧穿(BTBT)机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧穿效应场效应管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.因为TFET器件具有更薄的栅氧化层、更短的沟道长度和全新的工作原理,其静电放电(ESD)保护问题面临着更多的科学挑战.半导体工艺模拟以及器件模拟工具(TCAD)被广泛应用于静电防护设备中,为研发新型静电防护器件奠定坚实的基础.本文从集成电路技术的发展、TFET工作原理、ESD对TFET的影响机理、TCAD中的仿真与建模技术四个方面进行综合论述.
作者：林海毛钰王忧
作者单位：华中师范大学,武汉,430079
母体文献：ESD-S第七届静电防护与标准化国际研讨会论文集
会议名称：ESD-S第七届静电防护与标准化国际研讨会
会议时间：2018年11月7日
会议地点：北京
主办单位：中国标准化研究院,中国空间技术研究院
语种：chi
分类号：V42TN9
关键词：隧穿效应场效应管 静电放电 结击穿 雪崩效应 回滞效应
在线出版日期：2021年12月15日
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