文档名：晶体硅中的缺陷对电势诱导衰减PID的影响
随着硅片位错密度的增加，在模拟PID现象的条件下，电池片和小组件Rsh衰减程度增加，转化效率等其他电性能参数的衰减程度也增加，其中Voc的衰减最为显著，抗PID性能呈现下降趋势。证明了缺陷处的原子由于偏离平衡位置，具有较高的动能，有助于增加Na+的扩散速度，造成发射级和集电极短接，形成导电通路，引起电池片的漏电，从而增加P旧现象。钠离子在电池片中的运动片包含两种方式，在SiNx膜层中，主要是由外部电场引起的离子迁移运动;而在硅基底中，则是由浓度梯度引起的扩散运动。钠离子在这两种运动机制的共同作用下进行移动，最终在硅片中形成穿透pn结的二维准金属层，造成pn结漏电，降低电池片的并联电阻，从而导致电池片效率的下降。采用简单的PL设备，通过在来料检验处控制硅片的缺陷密度，能够有效的预防PID现象的产生，从而减少损失。
作者：余静文
作者单位：中节能太阳能股份有限公司科技研发中心
母体文献：第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称：第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会
会议时间：2017年11月16日
会议地点：徐州
主办单位：中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种：chi
分类号：TQ1TN4
关键词：太阳能电池片 晶体硅缺陷 电势诱导衰减 转换效率
在线出版日期：2018年10月31日
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