加固型SX8042MFRH运算放大器抗辐照试验研究

文档名：加固型SX8042MFRH运算放大器抗辐照试验研究
对集成电路芯片的辐射效应研究在抗辐射领域比较广泛.本文对双极器件和电路的辐射物理机理进行了阐述,用钴60γ射线和中子反应堆对加固型SX8042MFRH芯片进行辐射,研究了压摆率、增益带宽、失调电压、开环增益等关键参数在这两种模拟源下的变化情况,得到了该芯片对于两种模拟源的辐射能力,为提高该类芯片的抗辐射能力提供参考.
作者：袁国火
作者单位：中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900
母体文献：2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议论文集
会议名称：2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议  
会议时间：2016年7月19日
会议地点：兰州
主办单位：中国核学会
语种：chi
分类号：TP3TN8
关键词：运算放大器  抗辐射加固设计  γ射线  中子反应堆  辐射效应
在线出版日期：2022年3月25日
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