文档名：基于微腔耦合量子点的通讯波长高计数单光子源研究进展
双层耦合InAs量子点的发光波长在低温下可拓展至光通信波段,可应用于光纤量子通信及光纤量子密钥传输等重要领域3-5.通过分子束外延(MBE）梯度生长方法获得的低密度耦合点,已经被证实可以作为单光子源使用6.本文报道通过将双层量子点与微柱微腔(～3μm）耦合的方法,利用Purcell效应在通信波段获得了高计数的单光子发射.利用InGaAs单光子探测器,单光子计数达到62KHz.
作者：陈泽升 马奔 薛永洲 窦秀明 尚向军 倪海桥 王金良 孙宝权 牛智川
作者单位：北京航空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,100191;中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408;中国科学技术大学,量子信息与量子物理学专业创新中心,安徽合肥,230026中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083北京航空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,100191
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：O41O47
关键词：砷化铟量子点 分子束外延生长 发光性能 单光子源
在线出版日期：2019年8月12日
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