基于InAsGaSbInSbGaSb超晶格的甚长波红外探测器截止波长拓展研究

文档名：基于InAsGaSbInSbGaSb超晶格的甚长波红外探测器截止波长拓展研究
本文报导了基于InAs/GaSb/InSb/GaSb甚长波超晶格的能带可调性研究.经验紧束缚理论模拟结果显示,在二类超晶格InAs/GaSb中的GaSb层插入InSb可灵活的调节超晶格价带,进而达到调节带隙的目的.实验生长了一批有源区超晶格结构为15MLInAs/7MLGaSb的n-M-π-p甚长波器件.通过在有源区超晶格的GaSb层中插入0.6MLInSb,并改变InSb在GaSb中的位置,实现了截止波长从14.7μm到18.3μm的波长拓展.
作者：蒋洞微韩玺郝宏玥孙姚耀蒋志吕粤希王国伟徐应强牛智川
作者单位：中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN2
关键词：红外探测器  半导体超晶格  能带可调性  波长拓展
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-10 13:07 上传 基于InAsGaSbInSbGaSb超晶格的甚长波红外探测器截止波长拓展研究.pdf

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