基于InAsGaSbⅡ型超晶格的高阻抗甚长波红外探测器

文档名：基于InAsGaSbⅡ型超晶格的高阻抗甚长波红外探测器
InAs/GaSbⅡ型超晶格材料具有较低的俄歇复合速率、较大的载流子有效质量以及相对较长的载流子寿命,并且带隙可在较大范围内连续可调的优良特性.相比于MCT材料,InAs/GaSbⅡ型超晶格材料更好的材料均匀性,使其在长波、甚长波红外探测器方面独具优势,特别是截止波长超过15μm的甚长波探测器.采用分子束外延（MBE）生长方法，在GaSb衬底上外延生长了InAs/GaSb超晶格甚长波红外探测器，器件结构采用P-π-M-N双异质结结构，吸收区采用15MLInAs/3.5MLGaSb/0.6MLInSb/3.5MLGaSb的结构。材料经过原子力显微镜、XRD等表征手段，证明材料较高的外延质量。经过标准半导体器件工艺之后，将Wafer制成尺寸为100μm的单元器件，并对其进行了低温IV测试以及77K下的光谱响应测试。测试结果表明，器件在35K下的R0A为11.89Ω.cm2，暗电流密度为6.1*10-4A/cm2。器件在77K,100mV的偏压下量子效率最高为35.14％，50%响应截止波长超过14μm。
作者：韩玺蒋洞微王国伟孙姚耀蒋志吕粤希徐应强牛智川
作者单位：中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN2
关键词：红外探测器  分子束生长  异质结构  性能表征
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-10 13:07 上传 基于InAsGaSbⅡ型超晶格的高阻抗甚长波红外探测器.pdf

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