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[化工] GBT 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

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硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法
ThicknessmeasurementsforultrathinsiliconoxidelayersonsiliconwafersX-rayphotoelectronspectroscopy

摘要:本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。

标准编号：GB/T25188-2010
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2010年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2011年1月1日
关键词：半导体,硅,晶体,表面性质,氧化物,厚度测量,X射线分析,硅无机化合物,SEMICONDUCTORS,SILICON,SILICONE,CRYSTALS,SURFACEPROPERTIES,SURFACEPROPERTIES,EMOXIDATIVE,OXIDES,THICKNESSMEASUREMENT,X-RAYANALYSIS,SILICONINORGANICCOMPOUNDS

GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法.pdf

2024-9-22 12:19 上传

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晶片, 射线, 光电子, 厚度, 氧化

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