含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17AsInP探测器结构优化

文档名：含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17AsInP探测器结构优化
在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,对于响应速度则并没有苛刻的要求.在具有相同器件结构的赝配In0.83Ga0.17As/InP探测器的吸收层中插入In0.66Ga0.34As/InAs超晶格电子势垒，并调控势垒的插入位置，分别位于吸收层的正中间(PD-1)和吸收层内靠近PN结耗尽区的位置(PD-2)。测试结果表明PD-2在室温时拥有更强的光响应度.77K下，PD2的暗电流比PD-1降低了1个数量级。
作者：师艳辉张永刚顾溢马英杰陈星佑龚谦纪婉嫣杜奔
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN4
关键词：短波红外探测器  光电二极管  铟砷化镓  磷化铟基  超晶格电子势垒  结构设计  光响应度  暗电流
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-10 12:20 上传 含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17AsInP探测器结构优化.pdf

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