硅氮氧薄膜中NSiO缺陷态在pn结LED器件和光增益特性中的作用

文档名：硅氮氧薄膜中NSiO缺陷态在pn结LED器件和光增益特性中的作用
对掺氧后a-SiNxOy发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiNxOy薄膜N-Si-O缺陷态发光机制.在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N-Si-O缺陷态上的复合发光,并且N-Si-O缺陷态也作为载流子注入通道,是p-n异质结高效发光的重要原因.此外,研究了N-Si-O缺陷态在硅氮氧薄膜光增益特性的作用.
作者：林泽文陈坤基张鹏展徐骏董恒平李伟黄信凡
作者单位：南京大学电子科学与工程学院,固体微结构物理国家重点实验室210093
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：O48TN2
关键词：发光二极管  硅氮氧薄膜  缺陷态  发光机制  光增益特性
在线出版日期：2020年6月22日
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