文档名：固态硒源三步后硒化制备单相CIGS薄膜
本论文对电沉积CuInGa金属预制层后硒化制备CIGS薄膜过程中普遍存在Ga聚集进行研究。采用固态硒源后硒化三步法：衬底温度400℃～500℃，硒源温度220℃;550℃无Se热处理；衬底温度550℃，硒源温度220℃。硒化是影响薄膜Ga扩散的关键。采用后硒化三步法在玻璃衬底上制备的CIGS薄膜器件效率10.08％，开路电压498mV，填充因子63.08%。
作者：毕金莲敖建平姚立勇高守帅孙国忠周志强何青孙云
作者单位：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津3000711
母体文献：2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会论文集
会议名称：2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会
会议时间：2015年10月13日
会议地点：北京
主办单位：中国可再生能源学会,中国光伏行业协会
语种：chi
分类号：S83S81
关键词：铜铟镓硒薄膜 制备工艺 固态硒源 温度控制
在线出版日期：2018年3月21日
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