改性的低温高温法外延生长低位错密度硅基锗薄膜的研究

文档名：改性的低温高温法外延生长低位错密度硅基锗薄膜的研究
本文提出了一种利用分子束外延系统(MBE),通过改性后的低温高温两步法,在(001)硅片上生长高质量应变驰豫的锗膜的方法.这种改性后的锗膜生长方法包括如下步骤:首先在380℃下生长低温层,其次在不同升温速率和沉积速率下生长380-600℃的变温层,最后在600℃下生长高温层.
作者：种海宁王哲玮叶辉
作者单位：浙江大学现代光学仪器国家重点实验室310027
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TM9
关键词：硅基锗薄膜  外延生长  低温-高温法  温速率  沉积速率
在线出版日期：2020年6月22日
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2024-12-10 08:58 上传 改性的低温高温法外延生长低位错密度硅基锗薄膜的研究.pdf

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