磁控溅射法制备Cu2ZnSnS,Se4铜锌锡硫硒薄膜太阳电池及其耗尽区宽度

文档名：磁控溅射法制备Cu2ZnSnS,Se4铜锌锡硫硒薄膜太阳电池及其耗尽区宽度
本文采用溅射后硒化的方法制备出具有P型半导体特性的CZTSSe薄膜，并在此基础上制备出效率为8％～10%的CZTSSe薄膜太阳能电池。采用C-V、DLCP等方法研究CZTSSe薄膜中Zn的含量对CZTSSe薄膜太阳电池的耗尽区宽度的影响。通过C-V和DLCP测试发现，当Zn含量较高时，CZTSSe吸收层载流子浓度较高，电池的耗尽区宽度较窄。
作者：李建军张毅孙云
作者单位：南开大学光电子所
母体文献：2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会论文集
会议名称：2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会  
会议时间：2015年10月13日
会议地点：北京
主办单位：中国可再生能源学会,中国光伏行业协会
语种：chi
分类号：TN4TN3
关键词：薄膜太阳电池  制备工艺  锌元素  耗尽区宽度
在线出版日期：2018年3月21日
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