创新XtackingTM架构释放3DNAND闪存潜能

文档名：创新XtackingTM架构释放3DNAND闪存潜能
随着3DNAND技术迅速成为企业级闪存的标准,并在各类应用中得到广泛应用,面向更高性能,更高存储密度和更低成本的持续创新和发展从而变得至关重要.传统的3DNAND闪存工艺由于受到高温、应力等复杂因素,折衷影响到性能的表现.不仅如此,将CMOS与外围电路在同一片晶圆上并排加工也浪费了硅的面积并增加了冗余的工艺.长江存储创新XtackingTM架构成功地克服了这些挑战,释放3DNAND的全部潜力.XtackingTM将为存储密度的持续增长注入新的动力,同时将为闪存带来前所未有的更高性能,更低的成本,以及更短的开发周期和产品上市周期.挑战和机遇并存,长江存储将迎难而上,服务智能手机,SSD和物联网应用领域不断增长的需求.
作者：程卫华
作者单位：长江存储科技有限责任公司
母体文献：2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会论文集
会议名称：2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会  
会议时间：2018年9月13日
会议地点：无锡
主办单位：中国半导体行业协会
语种：chi
分类号：
关键词：存储器  集成电路  闪存性能
在线出版日期：2019年11月29日
基金项目：
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