文档名：垂直结构InGaNGaN多量子阱太阳能电池研究
随着当前环境问题的日益加剧,太阳能作为一种绿色能源受到人们的广泛关注.长期以来,人们一直在寻求高转换效率的材料.与传统Si、GaAs基太阳能电池相比,InGaN太阳能电池因其带隙可通过In的组分灵活调节,涵盖从近红外到紫外的光谱范围,与太阳光谱几乎完美匹配,非常适合于制备高效太阳能电池,成为当前新型高效太阳能电池领域的研究热点,受到产业界和学术界的重视，为了提高InGaN太阳能电池的器件性能，制备了In组分为0.2的垂直(vertical-type)结构InGaN/GaN多量子阱(MQw)太阳能电池，拓展了电池的光谱响应，其器件制备工艺如下：首先，在蓝宝石衬底上生长u-GaN/n-GaN/(InGaN/GaNMQWs)/p-GaN外延层，再生长ITO电流扩展层、底部反射镜、Cr/Au电极，通过键合(bonding)工艺实现衬底转移，然后进行激光剥离去除蓝宝石衬底，最后通过感应耦合等离子体刻蚀(ICP)工艺实现电池器件的分离，并生长Cr/Au电极，所制备而得的太阳能电池器件结构示意图如图1所示。
作者：郑志威赖萌华余健张江勇应磊莹张保平
作者单位：厦门大学电子工程系,厦门,361005
母体文献：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议论文集
会议名称：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
会议时间：2015年10月30日
会议地点：苏州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：太阳能电池 氮化铟镓 氮化镓 垂直结构 光谱响应
在线出版日期：2019年1月18日
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