文档名：非单晶硅材料,电池及组件光衰和氢化
本文阐述了非单晶硅材料的生长与缺陷控制及其对电池及组件光衰和氢化，通过发展新的位错处氢捕陷技术，最大化加氢量,然后控制或移除多余的氢来制备非单晶硅材料。
作者：AlisonCieslanéeWenhamCatherineChanShaoyangLiuArefSamadiDavidPayneRanChenBrettHallamDanielChenMalcolmAbbottCheeMunChongStuartWenham
作者单位：
母体文献：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
会议时间：2018年11月1日
会议地点：南昌
主办单位：中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种：chi
分类号：TM2TL8
关键词：非单晶硅材料 晶体生长 光伏电池 光伏组件 光衰分析 氢化分析
在线出版日期：2019年11月29日
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