InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

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InGaAs红外光电探测器及其阵列波长在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用.材料生长过程中,衬底温度是除Ⅴ/Ⅲ和生长速率外的一个重要的工艺参数.对于InP基InAlAs异变缓冲层上生长高In组分InGaAs材料为基础的异质探测器结构,需要对各层材料分子束外延生长温度进行严格的控制以防止组分分凝和结晶退化带来的影响.
作者：张见陈星佑顾溢马英杰奚苏萍杜奔张永刚
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：半导体材料  铟砷化镓  分子束外延生长  磷化铟基  衬底温度  短波红外探测器
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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2024-12-9 11:53 上传 InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化.pdf

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