InAsGaSb二类超晶格红外探测器的MOCVD生长和制备

InAsGaSb二类超晶格红外探测器的MOCVD生长和制备.pdf
锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生长.由于MOCVD是产业界主流技术,具有产能大生长温度高等特点,展开了用MOCVD生长InAs/GaSb二类超晶格探测器的工作.为了提高产能，采取了一台工业级的Aixtron2400机台，具备5×4",8×3"和11×2"的生长能力，成功生长了一个锑化物中波红外探测器。该器件的截止波长为4.8μm，X光衍射卫星峰半高宽小于40弧秒，PL半宽为26meV，器件峰值响应率1.4A/W，零偏结阻抗为2.3×104Ωcm2，峰值探测率为7.2×1012cmHz1/2/W。无论是材料质量还是器件性能本结果均与MBE生长的锑化物探测器相当，证明了MOCVD作为锑化物超晶格材料生长方法的可行性。
作者：黄勇吴启花赵宇熊敏赵迎春董旭张宝顺
作者单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号,215123
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：红外探测器  气相外延生长  晶格结构  性能表征
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
相似文献
相关博文

2024-12-9 11:52 上传 InAsGaSb二类超晶格红外探测器的MOCVD生长和制备.pdf

文件大小:

464.44 KB

下载次数:

60

高速下载