GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响

GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响.pdf
2-3μm半导体激光器在气体检测、医学诊断、分子光谱学和空间点对点通讯等方面都吸引着人们越来越多的关注.该波段激光器的材料体系主要包括GaSb基和InP基两种.相比于锑化物材料体系,InP基材料体系在材料生长和器件工艺上都比较成熟,并且在光通信领域得到了广泛使用.通过改变材料的组分、控制适当的应变和采用异变缓冲层等方法，可以将激光器的波长进一步延长至2-3μm短波红外波段。但是由此可能导致量子阱中较多的材料缺陷和较差的晶体质量。在材料的生长过程中引入表面剂是提升III-V族半导体晶体和界面质量的有效方法之一。目前已经有很多使用表面剂降低表面粗糙度、提升异质结界面和提高光致发光（PL）谱强度的报道。相比于其他表面剂元素，如Te、Sb等，Bi在InGaAs/InP材料体系分子束外延（MBE）正常生长温度下是很难进入到InGaAs薄膜中的，这对于作为有效表面剂来说是至关重要的。通过气态源分子束外延（GSMBE）生长方法，在InP基赝配InAs/In0.53Ga0.47As激光器的量子阱生长过程中采用Bi表面剂，并将未采用Bi表面剂的样品作为参考，发现Bi表面剂改善了有源区的材料质量，从而有助于提升量子阱激光器的性能。
作者：纪婉嫣顾溢陈星佑龚谦马英杰张永刚杜奔师艳辉张见
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：量子阱激光器  分子束外延生长  铋表面剂  性能表征
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
相似文献
相关博文

2024-12-9 11:39 上传 GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响.pdf

文件大小:

443.86 KB

下载次数:

60

高速下载