GaAs衬底上HgTe薄膜分子束外延生长和表征.pdf
HgTe是一种特殊的半导体,它具有反带结构的闪锌矿型结构,表现出半金属特性,具有非常强的自旋轨道耦合.2007年,德国的Molenkamp研究组通过实验验证HgTe/CdTe超晶格结构可以实现量子自旋霍尔效应,开启了拓扑绝缘体材料的研究热潮.最近几年研究人员发现应变HgTe薄膜也是一种很好的三维拓扑绝缘体材料,呈现很多反常的输运特性.上述结果分析表明成功外延较好质量的HgTe单晶薄膜。研究发现，生长温度波动对HgTe薄膜质量产生很大的影响。
作者：张健张圣熙巫艳陈平平陆卫
作者单位：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TP3
关键词：碲化汞薄膜 分子束外延生长 砷化镓衬底 温度波动 薄膜质量
在线出版日期：2019年8月12日
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