GaAsSbInAsGaAsⅡ类量子点结构MBE生长研究

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为了实现Ⅱ类能带结构及探究其物理特性，利用MBE在N型GaAs（100）衬底上外延生长了三组盖层材料分别为InGaAs（样品1，相当于Sb组分为0，参比片）、GaAs0.82Sb0.18（样品2）、和GaAs0.64Sb0.36（样品3）的量子点材料样品，三组样品中的量子点层生长条件相同。通过在InAs/GaAs量子点材料体系中引入一定Sb组分的GaAsSb盖层，量子点材料的能带结构由Ⅰ类转变为Ⅱ类，电子和空穴在空间上被分别限制，载流子寿命由1.24ns增加至6.19ns，这对于提高量子点中间能带太阳能电池的器件性能具有重要意义。
作者：张中恺吕尊仁许锋杨晓光杨涛
作者单位：中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京100049
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TP3
关键词：半导体量子点  分子束外延生长  能带结构  物理性能
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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2024-12-9 11:31 上传 GaAsSbInAsGaAsⅡ类量子点结构MBE生长研究.pdf

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