GaAs100衬底上不同晶向CdTe薄膜的可控生长

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CdTe材料由于CdTe有着独特的光电性能,可以应用在在太阳能转换以X-及γ探测器件方面;此外CdTe材料还可以用做HgCdTe红外材料的衬底.为了得到高质量的CdTe单晶材料,研究人员进行了广泛探索.特别是最近几年,随着GaAs基HgCdTe材料在应用上的需求,需要在GaAs衬底上生长出高质量的CdTe薄膜.有研究表明在CdTe(100）或(111)衬底上也可以生出长高质量HgCdTe薄膜,而目前在GaAs(211)B上外延CdTe缓冲层的研究比较多,相对而言在GaAs(100)B衬底上外延CdTe薄膜的研究较少.
作者：张圣熙张健巫艳陈平平
作者单位：中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TP3
关键词：碲化镉薄膜  外延生长  晶体结构  砷化镓衬底
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-9 11:31 上传 GaAs100衬底上不同晶向CdTe薄膜的可控生长.pdf

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