Er掺杂硅基Y2O3纳米薄膜MOS结构电致发光器件

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Er3+离子掺杂的氧化物由于在红外1530nm的光纤通讯波段具有广泛的应用前景而备受关注.Y2O3在红外波段的折射率高至1.9,光波导损耗低至1-1.5dB/cm,可用来制作硅基波导光放大器.本文采用原子层沉积(ALD)技术生长掺Er的Y203纳米层状复合薄膜(Y203:Er)，研究了高温退火处理对薄膜物相的影响，制备基于硅基MOS结构的电致发光器件(MOSLED)并获得了Er3+离子红外发光。
作者：杨扬熊细欢孙甲明
作者单位：硅光子学与储能器件实验室,南开大学材料科学与工程学院天津市津南区海河教育园区同砚路38号,天津300350
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：
关键词：硅基波导光放大器  原子层沉积  三氧化二钇纳米薄膜  铒掺杂
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
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2024-12-9 11:18 上传 Er掺杂硅基Y2O3纳米薄膜MOS结构电致发光器件.pdf

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