65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估.pdf
质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一.本文开展了一款商业级65nm工艺4M×18bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究.针对地球同步轨道、低地球轨道,使用SpaceRadiation7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率.错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1％～86％,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感.
作者：何安林郭刚沈东军刘建成史淑廷
作者单位：中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413
母体文献：中国原子能科学研究院第32届“五四”青年学术报告会论文集
会议名称：中国原子能科学研究院第32届“五四”青年学术报告会
会议时间：2018年4月16日
会议地点：北京
主办单位：中国原子能科学研究院
语种：chi
分类号：
关键词：随机静态存储器 质子单粒子翻转 空间辐射环境 错误率预估
在线出版日期：2021年9月26日
基金项目：
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